NEO Semiconductor ha revelado una nueva tecnología de memoria que promete revolucionar el mercado de las DRAM. La compañía presentó sus diseños 1T1C y 3T0C de 3D X-DRAM, que podrían ofrecer hasta 512 GB de capacidad por módulo, multiplicando por diez la capacidad de los módulos actuales. u5g4f
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3D X-DRAM: Impulsan nuevas memorias RAM de hasta 512 GB 274r3f
Basadas en la arquitectura 3D X-DRAM, estas celdas utilizan un diseño apilado similar al de la 3D NAND, lo que permite una mayor densidad y eficiencia energética. Gracias a su construcción con óxido de indio, galio y zinc (IGZO), estas celdas pueden mejorar la velocidad de lectura/escritura hasta 10 nanosegundos y extender el tiempo de retención de datos a más de 9 minutos, superando las capacidades de la DRAM convencional.
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Producción y expectativas t4s46
NEO Semiconductor espera que estas nuevas celdas sean fabricadas en 2026, con la posibilidad de que las instalaciones de 3D NAND existentes puedan adaptarse fácilmente para su producción. La compañía ha destacado que esta tecnología podría superar las limitaciones de escalabilidad de la DRAM tradicional y posicionarse como una solución clave para la IA, HPC y almacenamiento avanzado.
Se espera que NEO Semiconductor comparta más detalles sobre 1T1C, 3T0C y su familia de memorias 3D X-DRAM en la IEEE IMW este mes. Con competidores como SK hynix y tecnologías emergentes como DRAM+ basada en FeRAM, la batalla por la próxima generación de memoria está en marcha. La posibilidad de ver memorias RAM de hasta 512 GB podría llegar a revolucionar a la industria tecnológica. Os mantendremos informados.
